PtSi相关论文
本文利用ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ接触试制成一种新的肖特基势垒二极管，其反向击穿电压一般在１５Ｖ以上，最高达到３５Ｖ。测试了它的Ｉ－Ｖ特性，并与理论计算结果进行了比较和分......
Pt Si肖特基二极管的势垒高度制约 Pt Si红外探测器的截止波长和量子效率 .在 Pt Si/Si界面注入 In+ 、B+ ,采用高浓度、浅层注入......
为了改善PtSiIRCCD器件的红外响应特性，需要添加长焦距微透镜阵列进行焦平面集光，本文提出了一种新的方法—曲率补偿法用于长焦距微......
利用磁控溅射方法制备了不同工艺条件下的PtSi/P-Si异质薄膜,采用X射线光电子谱(XPS)测试其芯能级和价电子能谱.结果表明,其相形成......
研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2μm设计规则,两层多晶硅结构。......
PtSi ultra-thin films were grown on Si-wafer using pulsed laser deposition (PLD). The surface structure of thesefilms wa......
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采用磁控溅射方法在p-Si(111)衬底上淀积5nmPt膜,分别在350℃～600℃退火.原子力显微镜(AFM)观察和X射线光电子谱(XPS)分析表明,随退......
采用磁控溅射方法在p-Si(111)衬底上淀积5nmPt膜,分别在350℃～600℃退火.原子力显微镜(AFM)观察和X射线光电子谱(XPS)分析表明,随退......
介绍了PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列技术的最新进展,分析了国内研究中存在的问题,并指出了今后的发展方向......
PhilipsMRD3710X射线衍射仪由于其灵敏度高、可靠性好、操作方便 ,常常用于薄膜测试分析。采用X射线衍射仪对在 (10 0 )Si表面溅射......
PhilipsMRD3710X射线衍射仪由于其灵敏度高、可靠性好、操作方便 ,常常用于薄膜测试分析。采用X射线衍射仪对在 (10 0 )Si表面溅射......
介绍了我们研制的1024元线列PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2微米设计规则，两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为......
本文研究了PtSi-SBD的结构和光产额.由光产额模型可知,采用薄PtSi光腔结构和降低肖特基势垒可提高量子效率.利用光的共振吸收模型,......
随着深亚微米超大规模集成电路的发展,芯片集成度的一再提高,工艺的特征线宽也随之减小,金属化工艺也面临了更大的挑战,同时也推动......
利用超高真空技术对硅衬底进行表面处理,制作了PtSi红外肖特基势垒探测器(IR-SBD)。用X射线衍射(XRD)分析了表面处理后的硅衬底上......
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